搜索
上海碳化硅功率器件工程技术研究中心（SiCPower，以下简称“中心”），旨在推动上海及长三角碳化硅器件技术研究和产业化，于2019年2月11日被上海市科委批准建立。中心通过和半导体器件生产及电力电子应用企业紧密合作，致力于研发基于宽禁带半导体，特别是碳化硅（SiC）材料为核心的新型功率器件、工艺和模块，加速下一代碳化硅基功率电子的广泛应用。以SiC材料为核心的新型电力电子器件在新能源汽车、充电桩、光伏能源、互联网、5G等产业以及特高压输电、城际轨道交通等国家重大工程项目中发挥重要作用，被列为国家科技创新2030重大项目“重点新材料研发及应用”的重要方向。
中心主任为复旦大学特聘教授张清纯博士。1992 年从北京清华大学电子工程系获得本科学位，1997 年从清华大学核能研究院功率电子器件研究室获硕士学位，2001 年从美国南卡罗莱纳大学电子工程系获工学博士学位，曾先后任职于Rockwell、Cree、AOS等行业领军企业，首次报道工业界的碳化硅器件包括：沟道 MOSFET、12 千伏 IGBT、沟槽型肖特基二极管、无飘移 BJT、12 千伏 GTO 和光控晶闸管、1.2 千伏CIMOSFET、650 伏和 1700 伏 MOSFET等。
中心下设领导小组，专家委员会和综合管理办公室。中心聚焦五大研究方向：宽禁带半导体材料生长、功率器件物理与设计、先进制造工艺及产业化、功率模块及可靠性测试、电力电子技术。中心建有材料生长实验室、仿真计算实验室、高压晶圆测试实验室、单管/模块测试实验室、综合测试实验室、可靠性老化实验室、光电检测实验室等。拥有高性能工作站、高压探针台、功率器件分析仪、双脉冲测试平台、点胶机、贴片机、烧结机、激光开封机、纳米压痕测试仪、功率循环、温度冲击、老炼测试、原子层沉积、光电探针台等设备。
中心是电子科学与技术方向的硕士、博士学位授予点，招收宽禁带半导体技术与应用方向的硕博研究生。依托复旦大学多学科交叉优势和龙头企业成熟的产业化独特条件，着力培养行业亟需的知识全面、创新务实的高层次人才。中心致力于创建具备国际领先水平的碳化硅功率器件研究中心，按照以新型碳化硅器件为核心，以市场需求为导向，技术创新为动力，高端人才培养为支撑，采用政府引导、企业高校紧密合作、全产业链协同的模式，重点突破碳化硅关键共性技术及先进制造工艺，打造车规级SiC优势产业集群。自中心成立以来，已承担国家、省市及行业龙头企业等多项碳化硅功率器件和模块的重大项目，覆盖碳化硅器件的特色新工艺研发、超高压碳化硅器件、碳化硅超级结器件、high-k栅氧材料生长、器件动态栅氧可靠性、低杂感模块封装技术、烧结互连封装技术等方向。同时，中心正在积极建设复旦大学宁波研究院宽禁带半导体材料与器件研究所，获批4.6亿打造SiC器件中试线、封装工艺线及测试平台，依托产业需求建设面向下一代碳化硅器件的研发、测试平台，涵盖关键工艺设备如步进光刻机(0.5um)、匀胶显影机、半自动涂胶显影机、高温高能离子注入、高温退火炉等。
工程中心领导小组、专家委员会及核心成员
工程中心技术领域
工程中心实验室 |
碳化硅功率半导体器件制备中涉及的相关先进制造工艺
网站链接：
https://sicpower.fudan.edu.cn/
