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10月20日下午，学院第14期“智能机器人与先进制造大讲堂”在邯郸校区逸夫楼报告厅举行。中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员、第三代半导体国家技术创新中心（苏州）副主任徐科应邀作题为《氮化镓单晶材料生长与同质外延技术应用》的专题报告，与现场师生分享相关领域的研究进展与技术应用。
报告中，徐科研究员首先介绍了半导体材料的发展历程，第一代半导体（硅）解决计算，第二代（砷化镓等）支撑通讯，第三代半导体（碳化硅、氮化镓、氧化镓等）面向功率驱动与光电融合，是人工智能时代的关键材料与芯片底座。
围绕氮化镓材料，徐老师重点介绍了介绍单晶生长的四条技术路线—— 氢化物气相外延（HVPE）、氨热法、助熔剂法与高压氮气溶液法，并分析各自在速率、成本、尺寸与质量上的取舍。团队采用HVPE方法已研制出2~7英寸氮化镓单晶，2英寸位错密度达105 cm-2量级，并实现高导电n型掺杂与半绝缘单晶。
徐老师指出，晶体质量是提升器件功率密度与可靠性的基础，获得极低位错密度的大尺寸单晶是核心攻关方向。报告从生长机理与装备挑战出发，探讨高质量单晶为功率电子、激光、AI 算力光互联等新型器件带来的机遇。
在互动交流环节，现场师生围绕材料生长技术瓶颈、不同技术路线的发展前景及个人科研方向选择等问题踊跃提问。徐老师结合自身科研经历，与同学们分享了科研探索中的思考与体会，勉励大家把真问题、重要问题做深做透。
学院副院长方虹斌教授为徐科研究员颁发大讲堂纪念牌，感谢他带来的精彩学术分享。
讲座结束后，学院智能光电与微纳制造教学团队接续开展了“智能光电与微纳制造”方向宣讲交流活动。老师们介绍了该方向因材施教、产教融合的培养特色，分享升学就业发展路径；刘晓燕学姐、张震学长分别带来保研推免、产业求职的经验分享，并就本科生如何进组、开展科研训练等现实问题，和在场同学展开充分交流。
本期大讲堂围绕第三代半导体材料的前沿研究与技术应用展开交流，并结合专业方向宣讲，为同学们了解学科前沿、参与科研实践和规划个人发展提供了参考。未来，学院将持续依托“智能机器人与先进制造大讲堂”等学术交流平台，邀请相关领域专家学者分享前沿研究成果，拓展师生学术视野，促进学术交流与人才培养。
