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近日，第十一届 IEEE 电子系统集成技术会议（IEEE ESTC 2026）在芬兰赫尔辛基举行。复旦大学智能机器人与先进制造创新学院吴奥洲、李泽湛、项载满三名硕士研究生在樊嘉杰老师指导下，组成 FIRE 团队（Fudan Innovation & Reliability Engineering，复旦大学可靠性创新工程团队），首次代表学院参加国际性学生竞赛，并入围最终7支现场决赛队伍，成为唯一一支来自中国高校的决赛团队。
本届学生竞赛共有来自5个国家的7支队伍进入决赛。除复旦大学外，其余队伍分别来自德国锡根大学、罗马尼亚蒂米什瓦拉理工大学（2支）和布加勒斯特理工大学、日本群马大学，以及荷兰代尔夫特理工大学。各队围绕同一工程问题提出方案，并在会议现场展示研究成果。
吴奥洲、李泽湛、项载满代表学院参加 IEEE ESTC 2026 学生竞赛
面向真实工程问题 展示封装可靠性方案
本届竞赛由来自 Aumovio、NXP、Bosch、Thales 及国际高校的专家共同组织，围绕新能源汽车电子控制单元（ECU）中 BGA 焊点在 -40 ℃至125 ℃热循环下的可靠性设置工程挑战，重点考察学生的建模分析与设计优化能力。
针对这一问题，FIRE 团队聚焦底部填充材料优化，将有限元仿真与数据分析相结合，在保持封装结构不变的条件下筛选材料方案，为降低焊点热疲劳损伤提供设计依据。团队通过口头汇报和海报展示介绍研究思路、验证结果及工程建议。
FIRE 团队在竞赛现场介绍研究思路与材料优化方案
最终，吴奥洲、李泽湛、项载满均获得 IEEE ESTC 2026 Student Competition Challenge Participation Award，进一步积累了面向国际同行开展技术汇报与交流的经验。
吴奥洲、李泽湛、项载满的 IEEE ESTC 2026 学生竞赛挑战赛参赛奖证书 
FIRE 团队竞赛海报：车用 BGA 封装可靠性底部填充材料优化
开展论文交流 关注碳化硅功率器件可靠性
参赛期间，项载满还以海报形式展示了其第一作者论文《动态栅极偏压下碳化硅 MOSFET 的物理信息应力解耦与自适应随机退化建模》Physics-informed stress decoupling and adaptive stochastic degradation modeling of SiC MOSFETs under dynamic gate bias（《动态栅极偏压下碳化硅 MOSFET 的物理信息应力解耦与自适应随机退化建模》）。论文由复旦大学、代尔夫特理工大学等单位合作完成，樊嘉杰老师为通讯作者。
研究聚焦温度与开关频率共同作用下的器件退化问题，通过物理信息与数据分析相结合，揭示平均性能变化可能掩盖随机波动风险，并提出相应的退化建模方法，为碳化硅功率器件可靠性评估提供参考。
项载满在 IEEE ESTC 2026 展示碳化硅功率器件可靠性研究成果
此次国际竞赛与论文交流，为同学们提供了在实际工程问题中检验研究方法、展示科研成果的平台，也进一步拓展了学生的国际学术视野，提升了科研表达与交流能力。
延伸阅读
ESTC 是 IEEE 电子封装学会（IEEE EPS）的欧洲旗舰会议，与 ECTC、EPTC 同属该学会的旗舰会议体系，并获 IMAPS Europe 联合支持，是电子封装与系统集成领域的重要国际交流平台。
会议汇聚高校、科研机构与产业界专家，议题覆盖先进封装、异构集成、功率电子及器件与系统可靠性等前沿方向，注重研究成果与实际工程需求的衔接。本届公布的议程包括105场口头报告、108项海报展示，并邀请5位封装领域专家作大会主题报告；同期设置专业培训、专题研讨与技术展览，为与会者交流前沿技术、开展产学合作提供了机会。
